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CS2350M雙恒電位儀

CS2350M雙恒電位儀

產(chǎn)品型號(hào):

所屬分類:電化學(xué)工作站

更新時(shí)間:2024-09-09

簡(jiǎn)要描述:可以實(shí)現(xiàn)2個(gè)通道同步測(cè)試,搭配旋轉(zhuǎn)環(huán)盤電極(RRDE)使用。
● 雙通道電化學(xué)工作站,各通道獨(dú)立測(cè)試,性價(jià)比高
● 經(jīng)典應(yīng)用:盤環(huán)電極測(cè)試(RRDE)、氫擴(kuò)散測(cè)試(HDT)
● 全浮地模式,性價(jià)比高
● 電壓控制范圍:±10V,槽壓為±21V
● 電流控制范圍:±1A(可擴(kuò)展至20A/40A/100A)
● 電位分辨率:1μV,電流分辨率:1pA(可選

詳細(xì)說(shuō)明:

產(chǎn)品介紹

     CS2350M雙恒電位儀內(nèi)置兩套恒電位/恒電流儀,每套恒電位儀各有一套輔助、工作和參比電極輸出,并由CS Studio測(cè)試軟件來(lái)協(xié)調(diào)輸出電位/電流,CS2350M是真正意義上的雙通道電化學(xué)工作站。
具體應(yīng)用于:
    1. 雙通道獨(dú)立使用,可同時(shí)進(jìn)行兩組常規(guī)電化學(xué)測(cè)試;
    2. 雙通道組合使用,可用于電化學(xué)分析四電極工作體系,尤其在氧還原(ORR)中間產(chǎn)物收集、金屬氫擴(kuò)散測(cè)試有廣泛應(yīng)用。
 
    技術(shù)優(yōu)勢(shì)

    CS2350M雙恒電位儀不僅具有CS單通道系列高精度、寬量程以及強(qiáng)大的數(shù)據(jù)分析處理功能,而且在原有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上創(chuàng)新突破。 CS2350M雙通道硬件設(shè)計(jì)可以實(shí)現(xiàn)兩組實(shí)驗(yàn)體系的測(cè)試要求,同時(shí),軟件的組合編程功能大大提高了實(shí)驗(yàn)的效率。

    典型案例

    1. 雙通道獨(dú)立測(cè)試
    使用專用的電池測(cè)試夾,配合軟件的組合編程功能,給電池能源領(lǐng)域的用戶帶來(lái)更高效、更智能的測(cè)試體驗(yàn)。
 

圖1.雙通道獨(dú)立測(cè)量參數(shù)設(shè)置界面
 

    2.配合旋轉(zhuǎn)環(huán)盤電極(RRDE)用于研究氧化還原體系:
    在測(cè)量圓盤電極極化曲線的同時(shí),將環(huán)電壓設(shè)置為恒電位,控制圓環(huán)電極在固定的極化電勢(shì),用以檢測(cè)圓盤電極上產(chǎn)生的反應(yīng)中間物,該方法也成為檢測(cè)反應(yīng)中間物和研究電極反應(yīng)機(jī)理的典型流體動(dòng)力學(xué)方法。氧還原反應(yīng)的電子轉(zhuǎn)移數(shù)和相應(yīng)的雙氧水(中間產(chǎn)物)產(chǎn)率可分別通過(guò)公式測(cè)得:


 

其中知Idisk和Iring分別為測(cè)得的盤電流、環(huán)電流,電極收集效率N由盤環(huán)電極參數(shù)決定(常數(shù))。將測(cè)試結(jié)果代入以上公式即求得實(shí)際反應(yīng)的電子轉(zhuǎn)移數(shù)n 和H2O2(%)所占比例。

CS2350M雙恒電位儀CS2350M雙恒電位儀

圖2.氧還原(ORR)中間產(chǎn)物檢測(cè)
 

    3. 金屬中氫擴(kuò)散測(cè)試:
    兩個(gè)恒電位裝置配合Devnathan-Stachurski 雙電解池,通過(guò)左側(cè)電解池的陰極充氫和右側(cè)電解的氫原子陽(yáng)極氧化電流測(cè)量,進(jìn)而計(jì)算氫原子在金屬中擴(kuò)散系數(shù)和氫通量。

CS2350M雙恒電位儀

圖3.金屬中氫擴(kuò)散控制

技術(shù)指標(biāo)

硬件參數(shù)指標(biāo)

 雙恒電位儀:
單恒電位電位控制范圍:±10V,雙恒電位儀電位控制范圍:±10V
 恒電流控制范圍:±1A(可擴(kuò)展至20A/40A/100A)
 電位控制精度:0.1% 電流控制精度:0.1%
 電位靈敏度:1μV 電流靈敏度:1pA(可選100fA)
 電位上升時(shí)間:1μs 電流量程:2A~2nA 10檔
 參比電極輸入阻抗:1013Ω||8pF 最大輸出電流:±1A(可擴(kuò)展至20A/40A/100A)
 槽壓輸出:±21V 電流掃描增量:1mA@1A/ms
 CV和LSV掃描速度:0.001mV~10,000V/s 電位掃描電位增量:0.076mV @1V/ms
 CA和CC脈沖寬度:0.0001~65,000s  DPV和NPV脈沖寬度:0.0001~1000s
 SWV頻率:0.001~100KHz CV的最小電位增量:0.020mV
 AD數(shù)據(jù)采集:16bit@1MHz,20bit @1kHz 電流與電位量程:自動(dòng)設(shè)置
 DA分辨率:16bit,建立時(shí)間:1μs 低通濾波器 :8段可編程
 通訊接口:網(wǎng)口 儀器凈重:7.5Kg
 外形尺寸(mm):365(W)X338(D)X140(H)


電化學(xué)阻抗測(cè)量指標(biāo)

 信號(hào)發(fā)生器
 頻率響應(yīng):10μHz~1MHz 交流信號(hào)幅值:0mV~2500mV
 頻率精確度:0.005% 信號(hào)分辨率:0.1mV RMS
 DDS輸出阻抗:50Ω 直流偏壓:-10V~+10V
 正弦波失真率:<1% 波形:正弦波,三角波,方波
 掃描方式:對(duì)數(shù)/線性,增加/下降
 信號(hào)分析器
 最大積分時(shí)間:106個(gè)循環(huán)或者105s 測(cè)量時(shí)間延遲:0~105s
 最小積分時(shí)間:10ms或者一個(gè)循環(huán)的最長(zhǎng)時(shí)間
 直流偏置補(bǔ)償
 電位補(bǔ)償范圍:-10V~+10V 電流補(bǔ)償范圍:-1A~+1A
 帶寬調(diào)整:自動(dòng)或手動(dòng)設(shè)置, 共8級(jí)可調(diào)


儀器配置

1)儀器主機(jī)1臺(tái)
2)CS Studio測(cè)試與分析軟件1套
3)模擬電解池1個(gè)
4)電源線、網(wǎng)線各1條
5)電極電纜線2條
6)電腦(選配*)

功能方法
穩(wěn)態(tài)極化
開路電位測(cè)量(OCP)、恒電位極化(i-t曲線)、恒電流極化、動(dòng)電位掃描(TAFEL曲線)、動(dòng)電流掃描(DGP)
暫態(tài)極化
任意恒電位階梯波、任意恒電流階梯波、恒電位階躍(VSTEP)、恒電流階躍(ISTEP)
計(jì)時(shí)分析
計(jì)時(shí)電位法(CP)、計(jì)時(shí)電流法(CA)、計(jì)時(shí)電量法(CC)
伏安分析
線性掃描伏安法(LSV)、循環(huán)伏安法(CV)、階梯循環(huán)伏安法(SCV)、方波伏安法(SWV)、差分脈沖伏安法(DPV)、常規(guī)脈沖伏安法(NPV)、常規(guī)差分脈沖伏安法(DNPV)、差分脈沖電流檢測(cè)法(DPA)、雙差分脈沖電流檢測(cè)法(DDPA)、三脈沖電流檢測(cè)法(TPA)、積分脈沖電流檢測(cè)法(IPAD)、交流伏安法(ACV)、二次諧波交流伏安(SHACV)、傅立葉變換交流伏安(FTACV)
溶出伏安
恒電位溶出伏安、線性溶出伏安、階梯溶出伏安、方波溶出伏安、差分脈沖溶出伏安、常規(guī)脈沖溶出伏安、常規(guī)差分脈沖溶出伏安、交流溶出伏安
交流阻抗
頻率掃描-電位控制模式(EIS-V) 、 頻率掃描-電流控制模式(EIS-I) 、 電位掃描(IMPE,Mott-Schotty) 、 時(shí)間掃描-電位控制模式、 時(shí)間掃描-電流控制模式
腐蝕測(cè)量
循環(huán)極化曲線(CPP)、線性極化曲線(LPR)、動(dòng)電位再活化法(EPR)、電化學(xué)噪聲(EN)、電偶腐蝕測(cè)量(ZRA)
電池測(cè)試
電池充放電測(cè)試、恒電流充放電(GCD)、恒電位充放電(PCD)、恒電位間歇滴定技術(shù)(PITT)、恒電流間歇滴定技術(shù)(GITT)
雙恒測(cè)量
氫擴(kuò)散測(cè)試(HDT)、盤環(huán)電極測(cè)試(RRDE)、法拉第效率測(cè)試(FET)
擴(kuò)展測(cè)量
盤環(huán)電極測(cè)試、數(shù)字記錄儀、波形發(fā)生器、圓盤電機(jī)控制、其它外設(shè)擴(kuò)展端口(定制)





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