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產(chǎn)品型號(hào):
所屬分類:電化學(xué)工作站
更新時(shí)間:2024-09-09
簡(jiǎn)要描述:可以實(shí)現(xiàn)2個(gè)通道同步測(cè)試,搭配旋轉(zhuǎn)環(huán)盤電極(RRDE)使用。 ● 雙通道電化學(xué)工作站,各通道獨(dú)立測(cè)試,性價(jià)比高 ● 經(jīng)典應(yīng)用:盤環(huán)電極測(cè)試(RRDE)、氫擴(kuò)散測(cè)試(HDT) ● 全浮地模式,性價(jià)比高 ● 電壓控制范圍:±10V,槽壓為±21V ● 電流控制范圍:±1A(可擴(kuò)展至20A/40A/100A) ● 電位分辨率:1μV,電流分辨率:1pA(可選
CS2350M雙恒電位儀內(nèi)置兩套恒電位/恒電流儀,每套恒電位儀各有一套輔助、工作和參比電極輸出,并由CS Studio測(cè)試軟件來(lái)協(xié)調(diào)輸出電位/電流,CS2350M是真正意義上的雙通道電化學(xué)工作站。
具體應(yīng)用于:
1. 雙通道獨(dú)立使用,可同時(shí)進(jìn)行兩組常規(guī)電化學(xué)測(cè)試;
2. 雙通道組合使用,可用于電化學(xué)分析四電極工作體系,尤其在氧還原(ORR)中間產(chǎn)物收集、金屬氫擴(kuò)散測(cè)試有廣泛應(yīng)用。
技術(shù)優(yōu)勢(shì)
CS2350M雙恒電位儀不僅具有CS單通道系列高精度、寬量程以及強(qiáng)大的數(shù)據(jù)分析處理功能,而且在原有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上創(chuàng)新突破。 CS2350M雙通道硬件設(shè)計(jì)可以實(shí)現(xiàn)兩組實(shí)驗(yàn)體系的測(cè)試要求,同時(shí),軟件的組合編程功能大大提高了實(shí)驗(yàn)的效率。
典型案例
1. 雙通道獨(dú)立測(cè)試
使用專用的電池測(cè)試夾,配合軟件的組合編程功能,給電池能源領(lǐng)域的用戶帶來(lái)更高效、更智能的測(cè)試體驗(yàn)。
圖1.雙通道獨(dú)立測(cè)量參數(shù)設(shè)置界面
2.配合旋轉(zhuǎn)環(huán)盤電極(RRDE)用于研究氧化還原體系:
在測(cè)量圓盤電極極化曲線的同時(shí),將環(huán)電壓設(shè)置為恒電位,控制圓環(huán)電極在固定的極化電勢(shì),用以檢測(cè)圓盤電極上產(chǎn)生的反應(yīng)中間物,該方法也成為檢測(cè)反應(yīng)中間物和研究電極反應(yīng)機(jī)理的典型流體動(dòng)力學(xué)方法。氧還原反應(yīng)的電子轉(zhuǎn)移數(shù)和相應(yīng)的雙氧水(中間產(chǎn)物)產(chǎn)率可分別通過(guò)公式測(cè)得:
其中知Idisk和Iring分別為測(cè)得的盤電流、環(huán)電流,電極收集效率N由盤環(huán)電極參數(shù)決定(常數(shù))。將測(cè)試結(jié)果代入以上公式即求得實(shí)際反應(yīng)的電子轉(zhuǎn)移數(shù)n 和H2O2(%)所占比例。
圖2.氧還原(ORR)中間產(chǎn)物檢測(cè)
3. 金屬中氫擴(kuò)散測(cè)試:
兩個(gè)恒電位裝置配合Devnathan-Stachurski 雙電解池,通過(guò)左側(cè)電解池的陰極充氫和右側(cè)電解的氫原子陽(yáng)極氧化電流測(cè)量,進(jìn)而計(jì)算氫原子在金屬中擴(kuò)散系數(shù)和氫通量。
圖3.金屬中氫擴(kuò)散控制
硬件參數(shù)指標(biāo)
雙恒電位儀: 單恒電位電位控制范圍:±10V,雙恒電位儀電位控制范圍:±10V | 恒電流控制范圍:±1A(可擴(kuò)展至20A/40A/100A) |
電位控制精度:0.1% | 電流控制精度:0.1% |
電位靈敏度:1μV | 電流靈敏度:1pA(可選100fA) |
電位上升時(shí)間:1μs | 電流量程:2A~2nA 10檔 |
參比電極輸入阻抗:1013Ω||8pF | 最大輸出電流:±1A(可擴(kuò)展至20A/40A/100A) |
槽壓輸出:±21V | 電流掃描增量:1mA@1A/ms |
CV和LSV掃描速度:0.001mV~10,000V/s | 電位掃描電位增量:0.076mV @1V/ms |
CA和CC脈沖寬度:0.0001~65,000s | DPV和NPV脈沖寬度:0.0001~1000s |
SWV頻率:0.001~100KHz | CV的最小電位增量:0.020mV |
AD數(shù)據(jù)采集:16bit@1MHz,20bit @1kHz | 電流與電位量程:自動(dòng)設(shè)置 |
DA分辨率:16bit,建立時(shí)間:1μs | 低通濾波器 :8段可編程 |
通訊接口:網(wǎng)口 | 儀器凈重:7.5Kg |
外形尺寸(mm):365(W)X338(D)X140(H) |
電化學(xué)阻抗測(cè)量指標(biāo)
信號(hào)發(fā)生器 | |
頻率響應(yīng):10μHz~1MHz | 交流信號(hào)幅值:0mV~2500mV |
頻率精確度:0.005% | 信號(hào)分辨率:0.1mV RMS |
DDS輸出阻抗:50Ω | 直流偏壓:-10V~+10V |
正弦波失真率:<1% | 波形:正弦波,三角波,方波 |
掃描方式:對(duì)數(shù)/線性,增加/下降 | |
信號(hào)分析器 | |
最大積分時(shí)間:106個(gè)循環(huán)或者105s | 測(cè)量時(shí)間延遲:0~105s |
最小積分時(shí)間:10ms或者一個(gè)循環(huán)的最長(zhǎng)時(shí)間 | |
直流偏置補(bǔ)償 | |
電位補(bǔ)償范圍:-10V~+10V | 電流補(bǔ)償范圍:-1A~+1A |
帶寬調(diào)整:自動(dòng)或手動(dòng)設(shè)置, 共8級(jí)可調(diào) |
儀器配置
1)儀器主機(jī)1臺(tái)
2)CS Studio測(cè)試與分析軟件1套
3)模擬電解池1個(gè)
4)電源線、網(wǎng)線各1條
5)電極電纜線2條
6)電腦(選配*)